肖鹏

Peng Xiao

博士

所属学院：

物理与光电工程学院

导师类别：

硕士生导师

科研方向：

光电材料与器件

联系方式：

xiaopeng@fosu.edu.cn

硕士招生学院：

物理与光电工程学院

个人简述

(限300字)

肖鹏，副教授，硕士生导师。博士毕业于华南理工大学，主要致力于金属氧化物薄膜晶体管（MO-TFT）及其在有源矩阵有机发光二极管显示（AMOLED）中的应用相关研究，主要包括新型MO材料的设计与开发、MO-TFT结构设计与器件制备、界面物理、界面修饰以及TFT-OLED显示集成等。目前的主要研究兴趣为印刷电子、新型光电材料及器件、柔性超级电容器等。主持国家自然科学基金青年基金1项，广东省自然科学基金博士启动项目1项，佛山市科技局项目1项、广东高校科技成果转化中心项目2项、佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目1项，参与多项国家 863、国家自然科学基金以及广东省重大科技项目，发表高水平SCI收录论文50余篇，被引900余次。担任教育部学位论文评审专家、国际高水平学术期刊ACS、IEEE、PSS等杂志审稿人。

教育背景

2016年6月  华南理工大学 材料物理与化学专业硕博连读  获工学博士学位

工作经历

2016年8月至今 佛山科学技术学院 物理与光电工程学院  学院纪委委员/光源与照明系教师党支部副书记

主要荣誉

第十四届“挑战杯”中航工业全国大学生课外学术科技作品竞赛二等奖、第十三届“挑战杯”广东大学生课外学术科技作品竞赛特等奖、优秀党务工作者、优秀班主任、年度考核优秀等。

主要论文

[1] High performance g-C₃N₄ @NiMoO₄ /CoMoO₄ electrode for supercapacitors, Journal of Solid State Chemistry, 2022, 307: 122845.

[2] High-performance quasi-solid-state flexible supercapacitors based on a flower-like NiCo metal–organic framework. RSC advances, 2022, 12(10): 5910-5918.

[3] Transition metal oxide electrode materials for supercapacitors: a review of recent developments. Nanomaterials, 2021, 11(5): 1248. （ESI高被引）

[4] Blue molecular emitter-free and doping-free white organic light-emitting diodes with high color rendering. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(3): 387-390.

[5] X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the effect of photoresist passivation on InGaZnO thin-film transistors. Applied Surface Science, 2019, 471: 403-407.

[6] Back-channel-etched thin-film transistors with tunable acid-resistant Zr-doped indium oxide active layer. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 66(1): 464-469.

[7] High-mobility flexible thin-film transistors with a low-temperature zirconium-doped indium oxide channel layer. Physica Status Solidi Rapid Research Letters, 2016, 10(6): 493–497. 

[8] InGaZnO thin-film transistors modified by self-assembled monolayer with different alkyl chain length. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36: 687.

[9] InGaZnO thin-film transistors with back channel modification by organic self-assembled monolayers. Applied Physics Letters, 2014, 104: 051607.

知识产权

[1] 一种同质结薄膜晶体管, 专利申请号: 201821760959.5.

[2] 一种薄膜晶体管, 专利申请号: 201821760952.3.

[3] 一种背沟道修饰型氧化物薄膜晶体管及其制备, 专利申请号: 201721535844.1.

[4] 一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管, 专利申请号: 201721539588.3.

[5] 氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 专利申请号: 201310249839.

[6] 一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 专利申请号: 201410066332X.

科研项目

[1] 2022 广东省科学技术厅，“柔性显示用高迁移率金属氧化物薄膜晶体管材料及器件研究”，100万，参与单位负责人；

[2] 2020 广东高校科技成果转化中心，“基于新型氮化物发光材料的LED器件关键技术研究及产业化”，40.8万，主持；

[3] 2019 广东高校科技成果转化中心，“用于驱动新型高分辨率显示的薄膜晶体管研究”，5万，主持；

[4] 2018 国家自然科学基金委，“有机自组装分子修饰的高稳定性柔性氧化物薄膜晶体管研究”，24万，主持；

[5] 2018广东省自然科学基金—博士启动“超柔、超薄自组装分子修饰的柔性氧化物薄膜晶体管研究”, 10万，主持；

[6] 2017 佛山市科技局，“佛山市新型光电技术专利联盟建设”，20万，主持；

[7] 2017 佛山科学技术学院高层次人才科研启动项目，“用于AMOLED显示的高迁移率薄膜晶体管的无铟有源材料研究”，20万，主持。