李健 高级工程师

学历学位：博士研究生

导师类别：硕士生导师

研究方向：传热学，空气动力学，流体力学，计算流体力学，半导体外延装备及材料

联系方式：lijian_sci@163.com

学习经历：
2015 年 9 月-2018 年 6 月 中山大学 光学工程 博士

工作经历：
2011 年 6 月-2012年 12月 明阳智慧能源集团股份公司
2012年 12月-2015年8月 佛山市中山大学研究院
2018 年 9 月-2021 年 9 月 中山大学 博士后
2022年3月-至今 佛山科学技术学院 特聘青年研究员

主要主持及参与的项目：
1、GaAs系MOCVD外延工艺仿真系统开发及设备技术优化研究，中山德华芯片技术有限公司，企业横向，210万，在研；
2、砷化镓空间太阳电池MOCVD外延化学反应机理及工艺参数研究，博士后科研启动基金，30万，在研；
3、广东省重点领域研发计划项目，六英寸碳化硅晶圆高温氧化炉多片机研发，2021B0101300005，1000万，在研，参与，排名第二 ；
4、锂电池涂布浆料挤压模头的流场分析，东莞致宏精密模具有限公司，企业横向，20 万，在研；
5、大流量超声氧气传感器技术开发，慧传科技（珠海）有限公司，企业横向，22 万，结题；
6、氧化物半导体器件的电极制备技术开发，上海您惦半导体科技有限公司，企业横向，20 万，结题；
7、广东省电子功能材料与器件重点实验室开放基金-面上项目，氧化锌基半导体薄膜材料 MOCVD 外延生长化学反应机理的研究，EFMD2020005M，结题，主持 ；
8、广东省重点领域研发计划项目，氧化锌基半导体薄膜材料 MOCVD 智能外延生长系统开发，2019B010132002，500万，结题，参与，排名第二 ；
9、氧化物MOCVD反应腔的开发，上海您惦半导体科技有限公司，企业横向，30万，结题；
10、空调机模型零件自动识别程序开发， 澳汰尔工程软件有限公司，企业横向，20 万，结题；
11、广东省重点领域研发计划项目，新型氧化物半导体透明电极结构 AlGaInP 基红光 LED 芯片关键技术研发及其产业化， 2015B010132006，500万，结题，参与，排名第三；

在《Renewable energy》、《Ceramics International》、《Physics of Fluids》等国际高水平期刊发表学术论文20余篇，其中TOP期刊期刊12篇、SCI 1区4篇，2区13篇。部分代表性成果列表如下：
[1] Dong Wang,Junyan Lao,Wenjia Xiao,Hengxu Qu,Jie Wang,Gang Wang ,and Jian Li*. Theoretical adjustment of metalorganic chemical vapor deposition process parameters for high-quality gallium nitride epitaxial films.Physics of Fluids, 2023,35, 033306.( SCI,IF:4.6,中科院大类2区,小类1区，TOP期刊)
[2] Jian Li, Wenjia Xiao*, Xianjv Meng *, Rongjian Zhang. Experimental study on flow uniformity of cold He riser in a modular high temperature gas cooled reactor. Annals of Nuclear Energy,2023,181,109518.(SCI,IF:1.871中科院大类3区,小类1区)
[3] Jie Wang, Yi-cong He, Tie-Cheng Luo, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*, Gang Wang*. Simulation and experimental verification study on the process parameters of ZnO-MOCVD.Ceramics International,2021,47,15471–15482.(SCI,IF 4.527,中科院1区,TOP)
[4] Jian Li*,Chao Qin,Jie Wang and Gang Wang. Study on stability of cavity in metal–organic chemical vapor deposition calculation based on neural network method. Physics of Fluids,s 2022,34, 103611.(SCI,IF:4.6,TOP期刊中科院大类2区,小类1区)
[5] Jie Wang, Yi-cong He, Tie-Cheng Luo, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*, Gang Wang*. Simulation and experimental verification study on the process parameters of ZnO-MOCVD.Ceramics International,2021,47,15471–15482.(SCI,IF:4.527,中科院大类1区,TOP期刊)
[6] Jian Li, Ranhui Liu*, Peng Yuan, Yanli Pei, Renjing Cao*, Gang Wang*. Numerical simulation and application of noise for high-power wind turbines with double blades based on large eddy simulation model. Renewable Energy, 2020, 146, 1682-1690.(SCI,IF:8.608,中科院大类1区,TOP期刊)
[7] Xianjv Meng, Ya Li, Zheng Zhou, Bing-feng Fan, Jian Li*.Evaluation of an accurate and consistent mathematical model of an elbow flowmeter derived from the Navier–Stokes equation, Physics of Fluids, 32, 117106 (2020). (SCI,IF:3.521,中科院大类2区,小类1区,TOP期刊)
[8] Jian Li, Ziling Wu , Yifeng Xu , Yanli Pei 1 and Gang Wang*. Stability Analysis of Multi Process Parameters for Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Reaction Cavity. Molecules , 2019, 24(5).(SCI,IF:4.527,中科院大类2区,TOP期刊)
[9] Jian Li, Tiecheng Luo, Hantao Wen, Jiajia Deng, Mingyang Wu, Ya Li, Gang Wang, Yanli Pei*. Design and regularity research of MOCVD heating plate based on experiments and simulations[J]. Vacuum, 2020, 174:109174.(SCI,IF:3.946 ,中科院大类2区)
[10] Jian Li, Jie Wang, Yanli Pe*i, Gang Wang*. Research and optimization of ZnO-MOCVD process parameters using CFD and genetic algorithm. Ceramics International, 2020, 46, 685-695.(SCI,IF:4.527,中科院大类1区,TOP期刊)
[11] Jian Li, Tiecheng Luo, Jie Wang, Gang Wang, Yanli Pei*, Jiajia Deng. Design of a New MD-600C ZnO-MOCVD Reaction Cavity and Study of Process Parameters. International Communications in Heat and Mass Transfer, 2020. 110. 104394.(SCI,IF:5.683,中科院大类2区)
[12] Jian Li, Jiandong Cai, Ziling Wu, Jie Wang, Yanli Pei*, Gang Wang*, Numerical simulation and study of the metal-organic chemical vapor deposition growth of ZnO film. Physics of Fluids, 2019, 31, 027104.(SCI,IF:3.514,中科院大类2区,小类1区, TOP期刊)
[13] Jian Li, Jie Wang, Jiandong Cai, Yifeng Xu, Bingfeng Fan, Gang Wang*. Study on the uniformity of ZnO films grown by MOCVD. Ceramics International, 2019, 11(45), 13971-13978.( SCI,IF:5.13,中科院大类1区,TOP期刊)
[14] Jian Li, Jie Wang, Jiandong Cai, Gang Wang*. Numerical Simulation and Analysis of Process Parameters of GaN-MOCVD Reactor.International Communications in Heat and Mass Transfer, 2018. 91. 64–76. (SCI,IF:4.127, 中科院大类2区,TOP期刊)
[15] Jian Li, Hanlin Gan, Yifeng Xu,Chaoyang Wang, Fenglong Gu*, Gang Wang*. Chemical reaction-transport model of diethylzinc hydrolysis in a vertical MOCVD reactor . Applied Thermal Engineering, 2018, 136, 108-117.(SCI,IF:6.309，中科院大类2区,TOP期刊 )
[16] Jian Li, Zeyuan Fei, Yifeng Xu, Jie Wang, Bingfeng Fan, Xuejin Ma and Gang Wang*. Study on the optimization of the deposition rate of planetary GaN-MOCVD films based on CFD simulation and the corresponding surface model. Royal Society Open Science, 2018, 5(2):171757.(SCI,IF:3.5,中科院大类3区)
[17] Jian Li, Yifeng Xu, Xuejin Ma, Bingfeng Fan, Gang Wang*. Stability and process parameter optimization for a vertical rotating ZnO-MOCVD reaction chamber[J]. Vacuum, 2018, 149:60-68.(SCI,IF:3.946,中科院大类2区,)
[18] Jian Li, Yuanjia Lai, Yifeng Xu, Zimin Chen, Yanli Pei, Gang Wang*. Process parameter analysis and parasitic reaction of ZnO grown through MOCVD. Vacuum, 2018.(SCI,IF:3.946,中科院大类2区,)
[19] Jian Li, Hanlin Gan,Yifeng Xu, Chaoyang Wang,Feng Long Gu*and Gang Wang*. Chemical reaction-transport model of oxidized diethylzinc based on quantum mechanics and computational fluid dynamics approaches. RSC Advances, 2018, 8(2):1116-1123.(SCI,IF:3.919,中科院大类3区 )
[20] Jian Li, Hanlin Gan, Yifeng Xu, Chaoyang Wang*, Yanli Pei*, Fenglong Gu, Gang Wang,Chemical reaction mechanism of ZnO grown using DEZn and N2O in MOCVD, CrystEngComm, 2018, 20, 6775-6785.(SCI,IF:3.382,中科院大类2区)

授权发明专利10项，实用新型专利8项，软件著作权5项，部分成果列表如下：
[1] 发明专利：一种自动化工艺线的石墨料盘视觉定位系统，授权，专利号：ZL201810993735.7
[2] 发明专利： MOCVD 设备进气装置和反应腔的结构及该设备的薄膜生长方法. 授权，专利号：ZL 201710827333.5
[3] 发明专利： 一种 MOCVD 设备生长均匀性工艺参数的优化方法，授权，专利号：ZL 201610850215.1.
[4]发明专利：一种 MOCVD 设备喷淋头及包含其的 MOCVD 设备和进气方式,授权，专利号： ZL 201611046665.1
[5] 发明专利：一种制备半导体外延片的 MOCVD 反应装置，授权，专利号： ZL201410558331.7
[6] 软著：基于半导体MOCVD装备的外延生长数据智能处理系统. [CP/CD]. 著作权登记号:2022SR1108752
[7]软著：基于机器学习的半导体真空镀膜设备MOCVD的智能外延生长平台. [CP/CD]. 著作权登记号:2022SR1101407
[8] 软著：MD-600B MOCVD 入口工艺参数优化平台. [CP/CD]. 著作权登记号: 2018SR226256.

2020年获得广东省科学技术奖二等奖