近期,JN江南官方联合华南理工大学、宁夏大学、香港中文大学和清华大学在中科院一区期刊Chemical
Engineering Journal (IF= 13.3)上在线发表了题为 “Introducing Electron-Rich Thiophene Bridges in Hot Exciton Emitter
for Efficient Non-Doped Near-Infrared OLEDs with Low Turn-On Voltages” 的研究论文。该工作以JN江南官方为第一单位,材料与能源学院江如明博士为第一通讯,宁夏大学马海军教授和华南理工大学赵祖金教授为共同通讯。
开发具有高光致发光量子产率的聚集态近红外发光材料对于实现高效的非掺杂OLEDs具有重要意义,但仍然面临巨大的挑战。为此,江如明等人提出了一种在电子受体和给体之间引入富电子噻吩基团的设计策略,用于构建高效的近红外发光材料,并合成一类具有D-π-A-π-D结构的发光分子TPATBT。 光物理研究和密度泛函理论分析表明,TPATBT是一种具有杂化局域和电荷转移态特征的热激子发光分子。此外,TPATBT 也表现出聚集诱导发光特性,在纯膜中实现了692 nm的最大发光波长和20%的发光效率,并具有较高的热稳定性。基于 TPATBT 纯膜的非掺杂近红外器件实现了1.22%的最大外量子效率,电致发光峰位于 718 nm。此外,该研究首次尝试使用层间敏化策略来敏化非掺杂器件,在 3.2 V的低开启电压下实现了更高的最大外量子效率,达到 1.34%。该研究为开发高效近红外发光材料提供了新思路。
该学院的樊婷教授、余明光教授和大三本科生龙嘉威等人为该工作提供支持和帮助。该工作得到了JN江南官方高层次人才科研启动项目和广东省教育厅高等院校青年创新人才项目等支持。
稿件来源:材料与能源学院
通讯员:江如明
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